電磁兼容測試場地與設(shè)備-半電波暗室的主要指標(biāo)2
（1）場地電壓駐波比
CISPR在2007年之前僅對1GHz以下頻段的輻射騷擾測試場地進(jìn)行了規(guī)定，而現(xiàn)行完整的CISPR標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了1GHz以上的測試方法，并對測試場地提出了相應(yīng)的要求。提出了“場地電壓駐波比”的概念，用于驗證測試場地的新方法。而原有的30MHz～1GHz頻率范圍內(nèi)歸一化場地衰減的測量方法由于信號在不同頻段的物理特性有所區(qū)別，不再適用于1GHz以上頻率的場地測試。
用于1GHz以上測量的場地要**一個全電波暗室,由于半電波暗室的場地不具備自由空間條件,因此需要在接地平板上鋪設(shè)額外的吸波材料，如圖3-50所示。SVSWR方法的目的是檢查被測空間的周邊條件,即由接收天線3dB波束寬度形成的切線W所提供的自由空間條件。
SVSWR是由反射信號與直射信號路徑引起的*大接收電壓與*小接收電壓之比,用分貝表示式:
圖3-51場地電壓駐波比的測試位置示意圖（俯視圖）
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F6：接收天線開始 3.0m 處 |
R6：Test Volume 的右端開始對于接收天線 40cm處前方 |
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F5：接收天線開始 F6＋2cm 處 |
R5：接收天線開始 R6＋2cm 處 |
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F4：接收天線開始 F6＋10cm 處 |
R4：接收天線開始 R6＋10cm 處 |
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F3：接收天線開始 F6＋18cm 處 |
R3：接收天線開始 R6＋18cm 處 |
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F2：接收天線開始 F6＋30cm 處 |
R2：接收天線開始 R6＋30cm 處 |
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F1：接收天線開始 F6＋40cm 處 |
R1：接收天線開始 R6＋40cm 處 |
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C6：Test Volume(T/T)中心 |
L6：Test Volume 的左端開始對于接收天線 40cm 處前方 |
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C5：接收天線開始 C6＋2cm 處 |
L5：接收天線開始 L6＋2cm 處 |
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C4：接收天線開始 C6＋10cm 處 |
L4：接收天線開始 L6＋10cm 處 |
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C3：接收天線開始 C6＋18cm 處 |
L3：接收天線開始 L6＋18cm 處 |
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C2：接收天線開始 C6＋30cm 處 |
L2：接收天線開始 L6＋30cm 處 |
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C1：接收天線開始 C6＋40cm 處 |
L1：接收天線開始 L6＋40cm 處 |
圖3-52場地電壓駐波比的測試位置示意圖（側(cè)視圖）
當(dāng) VSWR（SVSWR）≤4dB時,則場地是符合要求的。對場地駐波比的測量有如下規(guī)定：
① 對于3m測量距離的半電波暗室，推薦吸波材料的*小面積是1.6m×1.6m，將它們放在 EUT空間的邊界和接收天線之間的中間地段。如果場地校驗失敗，應(yīng)該增加這個區(qū)域，首先是沿著兩個天線之間的軸，然后是與它垂直方位。
② 為了模擬EUT所表現(xiàn)的低指向性，用作發(fā)射源的天線應(yīng)具有全向性或者像偶極子天線那樣的輻射方向圖。接收天線必須是線性極化，而且應(yīng)該與將來用于EUT發(fā)射測量的天線相同。
③ 測量應(yīng)該在一個圓柱體的空間內(nèi)進(jìn)行，如圖8-27所示要求在三個高度六個間隔激勵發(fā)射天線的參考點，共18個位置上進(jìn)行測量。
④ 測量可以使用自動掃頻，也可以用步進(jìn)測量。步進(jìn)方式的步長≤50MHz。
⑤ 并在垂直和水平兩個極化方向上分別測量。要注意接收天線與發(fā)射源必須處于同一高度，且測量信號至少大于本地噪聲環(huán)境電平20dB。
⑥ 除距離接收天線D處的r1參考點外，其余r1～r6的15個點都應(yīng)歸算到D處的值。歸算公式為
式中：Dhrp —為須歸算點的距離值
Shrp —歸算前在Dhrp處實測值
對于歸算后的值，兩種極化方向的值都應(yīng)符合≤3.5dB要求。
⑦ 當(dāng)需要減小測試空間時，吸收體應(yīng)增加到轉(zhuǎn)臺但要注意允許EUT的*小空間是0.308m直徑。至于需要驗證場地時，只需要對*大和*小空間進(jìn)行，而對于中間大小的測試空間，允許在*大和*小測試空間的結(jié)果之間作內(nèi)插運算。
（2）測試面場均勻性
測試面場均勻性是為在暗室中進(jìn)行射頻輻射抗擾度測試而制定的參數(shù)。測試時需在EUT處產(chǎn)生規(guī)定的場強(qiáng)，考察是否會引起EUT工作性能下降。由于EUT表面有一定范圍，所以在EUT區(qū)域內(nèi)規(guī)定了一個1.5m×1.5m 的垂直平面，要求該平面上場強(qiáng)均勻。這就是測試面場的均勻性。具體做法是：把該面均勻劃分16個點，如圖3-53所示。然后按圖3-54所示布置，用各向同性探頭測量每個點的場強(qiáng)，取數(shù)值*接近的12個數(shù)值，剔除另外4個。12個值中，*大和*小的差值小于6dB，則認(rèn)為該測試面場是均勻的。可以進(jìn)行電磁輻射敏感度的檢測。
圖3-53 均勻區(qū)16點測試位置
圖3-54輻射場均勻性測試示意圖
在均勻性測試時，要求在發(fā)射天線與EUT間的地面上鋪設(shè)可移動式吸波材料，防止地面反射影響場的均勻性。此外，各向同性場強(qiáng)探頭應(yīng)采用光纜與場強(qiáng)儀相連。
同樣地，場均勻性測量應(yīng)是多頻率(80MHz～1GHz，頻率步長不大于10％)、多位置(16個點)、多極性(垂直極化、水平極化)的測量。如果有條件可以使用自動測量系統(tǒng)，通過軟件配合的方式可以在較短的時間內(nèi)完成16個位置的測量，大大降低該項測試項目所花費的時間和人力。
特別提示：暗室的性能極大的依賴于暗室的設(shè)計.建造以及吸波材料的選擇等。一旦建造完成，將很難進(jìn)行大的修改。因此，設(shè)計階段應(yīng)盡量考慮周全合理。建造時應(yīng)確保施工工藝到位，才能使暗室一次性通過測試。
（3）背景噪聲
測試環(huán)境中的背景電磁噪聲是評判一個半電波暗室性能的一項重要指標(biāo)。根據(jù)多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)要求，背景噪聲應(yīng)低于測試限值6dB。鑒于噪聲電平可能影響到實際騷擾發(fā)射的測量，一般建議在有條件的情況下，背景噪聲*好低于限值20dB以上，越低越好。
特別提示：我們在設(shè)計半電波暗室時，一般都將CISPR22 Class B限值作為測試限值的基礎(chǔ)依據(jù)。
背景噪聲產(chǎn)生的來源十分廣泛，一般我們認(rèn)為來自于兩類：
**類：環(huán)境引入的噪聲
因暗室的人員與EUT出入口、供電、通訊、信號傳遞、暖通以及音視頻監(jiān)控等需要，在接口的位置選取與安裝處理中會引入這些設(shè)備的電磁發(fā)射或外部環(huán)境中的電磁干擾；
**類：測量系統(tǒng)引入的噪聲
我們在輻射發(fā)射測量時，使用到的測量系統(tǒng)涵蓋測量天線、饋線、測量接收機(jī)等設(shè)備，其自身特性以及本機(jī)噪聲同樣會對測量數(shù)據(jù)造成影響，該類噪聲原則上無法避免，也成為很多高等級標(biāo)準(zhǔn)在測量過程中容易出現(xiàn)本底噪聲過高的問題。
特別提示：由于測量系統(tǒng)自身設(shè)備性能局限而引入的噪聲，我們可以通過增加前置信號放大器的配備，對其進(jìn)行有效改善。大型***實驗室普遍使用進(jìn)口的前置放大器，如R&S和SCHWARZBECK等。而隨著放大器技術(shù)的日益成熟，國產(chǎn)前置放大器也越來越多地在各中小型及企業(yè)的電磁兼容實驗室中使用，代表性的產(chǎn)品有上海申瓦機(jī)電科技有限公司生產(chǎn)的前置信號放大器。